FCPF067N65S3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCPF067N65S3

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCPF067N65S3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 44A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

12837150
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FCPF067N65S3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
44A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
67mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 4.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3090 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
46W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF067

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2832-FCPF067N65S3

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

3LN01M-TL-E

MOSFET N-CH 30V 150MA SC70/MCPH3

onsemi

FQP3N50C-F080

MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

onsemi

FDS8449-F085

MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC

onsemi

HUFA76413D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA