رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF099N65S3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF099N65S3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 30A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
3995 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836943
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF099N65S3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2310 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF099
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FCPF099N65S3-OS
ONSONSFCPF099N65S3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF34N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF34N65M5-DG
سعر الوحدة
2.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA65R125C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
342
DiGi رقم الجزء
IPA65R125C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.78
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF76629D3ST-F085
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
FDD8445-F085P
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
