رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF125N65S3
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF125N65S3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F
المخزون:
1000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839441
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF125N65S3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® III
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 2.4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1790 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF125
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FCPF125N65S3-OS
ONSONSFCPF125N65S3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF34N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF34N65M5-DG
سعر الوحدة
2.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF40N65M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF40N65M2-DG
سعر الوحدة
2.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R099C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
500
DiGi رقم الجزء
IPA60R099C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.63
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP90N10V2
MOSFET N-CH 100V 90A TO220-3
FDS6574A
MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC
FQD12P10TF
MOSFET P-CH 100V 9.4A TO252