الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCPF190N60E
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCPF190N60E-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
975 قطع جديدة أصلية في المخزون
12840796
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCPF190N60E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3175 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FCPF190
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FCP(F)190N60E
مخططات البيانات
FCPF190N60E
ورقة بيانات HTML
FCPF190N60E-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FCPF190N60E-DG
FCPF190N60EOS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STFH24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
881
DiGi رقم الجزء
STFH24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF20S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
977
DiGi رقم الجزء
AOTF20S60L-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6020KNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
394
DiGi رقم الجزء
R6020KNX-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF24N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
911
DiGi رقم الجزء
STF24N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF24N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1112
DiGi رقم الجزء
STF24N60M2-DG
سعر الوحدة
1.25
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
NTMSD3P102R2SG
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
NVMFS6H818NT1G
MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN