FCU2250N80Z

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FCU2250N80Z

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FCU2250N80Z-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 800 V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12850644

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FCU2250N80Z المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

SuperFET® II

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

800 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.6A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2.25Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4.5V @ 260µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

585 pF @ 100 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

39W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

I-PAK

العبوة / العلبة

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

رقم المنتج الأساسي

FCU2250

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

1,800

اسماء اخرى

2166-FCU2250N80Z-488

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

Not Applicable

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

alpha-and-omega-semiconductor

AON6440

MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8DFN

onsemi

FQPF12P20XDTU

MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F

onsemi

HUFA75345P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

onsemi

FDA69N25

MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN