رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCU850N80Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCU850N80Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12846707
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCU850N80Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 600µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1315 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
FCU850
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
ONSFSCFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPU95R450P7AKMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPU95R450P7AKMA1-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD442
MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO252
HUF76423D3
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
FDB6030L
MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
