رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCU900N60Z
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCU900N60Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
12848555
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCU900N60Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
52W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Stub Leads, IPak
رقم المنتج الأساسي
FCU900
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
ONSONSFCU900N60Z
2156-FCU900N60Z-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STU7NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
650
DiGi رقم الجزء
STU7NM60N-DG
سعر الوحدة
0.92
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
STU7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
STU6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STU9N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
STU9N60M2-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
