رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FD6M045N06
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FD6M045N06-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 60A Through Hole EPM15
المخزون:
12850047
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FD6M045N06 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
Power-SPM™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
87nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3890pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
EPM15
حزمة جهاز المورد
EPM15
رقم المنتج الأساسي
FD6M045
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
19
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6990AS
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
FDMS8090
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56
FW297-TL-2W
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
