رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA16N50
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA16N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12845863
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA16N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
380mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1945 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
205W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA16
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTQ450P2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
41
DiGi رقم الجزء
IXTQ450P2-DG
سعر الوحدة
2.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SK1317-E
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
5608
DiGi رقم الجزء
2SK1317-E-DG
سعر الوحدة
3.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP14NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
892
DiGi رقم الجزء
STP14NM50N-DG
سعر الوحدة
1.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDA16N50-F109
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
270
DiGi رقم الجزء
FDA16N50-F109-DG
سعر الوحدة
1.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
