رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA20N50F
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA20N50F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12930594
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA20N50F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
FRFET®, UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
260mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3390 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
388W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA20N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
450
اسماء اخرى
488-FDA20N50F
2832-FDA20N50F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTQ26N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTQ26N50P-DG
سعر الوحدة
3.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NTHL190N65S3HF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
278
DiGi رقم الجزء
NTHL190N65S3HF-DG
سعر الوحدة
2.77
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTQ460P2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
73
DiGi رقم الجزء
IXTQ460P2-DG
سعر الوحدة
2.96
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD2612
MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
FCP104N60F
MOSFET N-CH 600V 37A TO220-3
NTMFS4825NFET1G
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN
