رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA59N25
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA59N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 59A (Tc) 392W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
535 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850867
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA59N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
59A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
49mOhm @ 29.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4020 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
392W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA59
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
2156-FDA59N25-OS
ONSONSFDA59N25
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
FQD19N10TF
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK