رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDA75N28
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDA75N28-DG
وصف:
MOSFET N-CH 280V 75A TO3PN
وصف تفصيلي:
N-Channel 280 V 75A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-3PN
المخزون:
12847585
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
PfWc
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDA75N28 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
280 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
41mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
520W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PN
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
رقم المنتج الأساسي
FDA75
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFQ94N30P3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFQ94N30P3-DG
سعر الوحدة
6.53
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMT800150DC
MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
FDD5N53TM_WS
MOSFET N-CH 530V 4A DPAK
FQPF4N20L
MOSFET N-CH 200V 3A TO220F