رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB024N04AL7
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB024N04AL7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount TO-263-7
المخزون:
12849971
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB024N04AL7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263-7
العبوة / العلبة
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
رقم المنتج الأساسي
FDB024
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB024N04AL7CT
FDB024N04AL7-DG
FDB024N04AL7DKR
2832-FDB024N04AL7TR
FDB024N04AL7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDB024N04AL7
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
29849
DiGi رقم الجزء
FDB024N04AL7-DG
سعر الوحدة
2.73
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IPB020N04NGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3448
DiGi رقم الجزء
IPB020N04NGATMA1-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
