FDB031N08
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDB031N08

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDB031N08-DG

وصف:

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12840291
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDB031N08 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15160 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB031

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDB031N08
مخططات البيانات
FDB031N08
ورقة بيانات HTML
FDB031N08-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB031N08DKR
FDB031N08CT
FDB031N08TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXTA260N055T2-7
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA260N055T2-7-DG
سعر الوحدة
3.96
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPB035N08N3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
977
DiGi رقم الجزء
IPB035N08N3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN3R3-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
18942
DiGi رقم الجزء
PSMN3R3-80BS,118-DG
سعر الوحدة
1.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN2R8-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
51094
DiGi رقم الجزء
PSMN2R8-80BS,118-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB160N75F3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
970
DiGi رقم الجزء
STB160N75F3-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NDD60N360U1-1G

MOSFET N-CH 600V 11A IPAK

onsemi

FQPF3N80C

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

onsemi

NTMFS4854NST3G

MOSFET N-CH 25V 15.2A/149A SO8FL

onsemi

NDD03N60ZT4G

MOSFET N-CH 600V 2.6A DPAK