الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB16AN08A0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB16AN08A0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12838098
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB16AN08A0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 58A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1857 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB16AN08
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDB16AN08A0
مخططات البيانات
FDB16AN08A0
ورقة بيانات HTML
FDB16AN08A0-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB16AN08A0-DG
FDB16AN08A0CT
FDB16AN08A0DKR
FDB16AN08A0TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN017-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2313
DiGi رقم الجزء
PSMN017-80BS,118-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN012-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5050
DiGi رقم الجزء
PSMN012-80BS,118-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFS3806TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11766
DiGi رقم الجزء
IRFS3806TRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF3007STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1070
DiGi رقم الجزء
IRF3007STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.97
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB75NF75T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
967
DiGi رقم الجزء
STB75NF75T4-DG
سعر الوحدة
1.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDWS86369-F085
MOSFET N-CH 80V 65A POWER56
FDP075N15A-F102
MOSFET N-CH 150V 130A TO220-3
FQD16N25CTM
MOSFET N-CH 250V 16A DPAK
BSS138N E8004
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3