رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB24AN06LA0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB24AN06LA0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 7.8A (Ta), 40A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12836461
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB24AN06LA0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.8A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
19mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1850 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB24
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB55NF06LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
330
DiGi رقم الجزء
STB55NF06LT4-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB55NF06T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB55NF06T4-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL207SPL6327HTSA1
MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
FQP2N40
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
2SK3817-DL-E
MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD
