الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB86363-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB86363-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
16 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837871
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB86363-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10000 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB86363
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDB86363-F085
مخططات البيانات
FDB86363-F085
ورقة بيانات HTML
FDB86363-F085-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB86363_F085
FDB86363_F085CT
FDB86363-F085TR
FDB86363_F085TR-DG
FDB86363-F085CT
FDB86363_F085DKR
FDB86363_F085CT-DG
FDB86363_F085TR
FDB86363_F085DKR-DG
FDB86363-F085DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB024N08N5ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
990
DiGi رقم الجزء
IPB024N08N5ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDBL86363-F085
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3890
DiGi رقم الجزء
FDBL86363-F085-DG
سعر الوحدة
2.00
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
FDP120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
HUF75345P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
AUIRLR3105
MOSFET N-CH 55V 25A DPAK