رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB86563-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB86563-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
1590 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847194
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB86563-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
163 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10100 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
333W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB86563
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
FDB86563-F085CT
FDB86563-F085DKR
FDB86563-F085TR
FDB86563_F085DKR-DG
FDB86563_F085DKR
FDB86563_F085CT
FDB86563_F085
FDB86563_F085TR-DG
FDB86563_F085TR
FDB86563_F085CT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDBL86561-F085
MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
FDMC8854
MOSFET N-CH 30V 15A 8MLP
FQPF13N50T
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220F
