الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDB8870
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDB8870-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839355
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDB8870 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta), 160A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
132 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5200 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
FDB887
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDB8870
مخططات البيانات
FDB8870
ورقة بيانات HTML
FDB8870-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
2156-FDB8870-OS
FDB8870FSCT
FAIFSCFDB8870
FDB8870FSTR
FDB8870FSDKR
FDB8870-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL7833STRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
3883
DiGi رقم الجزء
IRL7833STRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.88
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB80NF03L-04T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
691
DiGi رقم الجزء
STB80NF03L-04T4-DG
سعر الوحدة
1.90
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD155N3LH6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2446
DiGi رقم الجزء
STD155N3LH6-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9945
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.58
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN3R4-30BL,118
المُصنِّع
NXP USA Inc.
الكمية المتاحة
900
DiGi رقم الجزء
PSMN3R4-30BL,118-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCPF380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
FQPF9N50C
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
HUFA75344P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FDB20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB