رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC30N20DZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC30N20DZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 4.6A (Ta) 960mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
12838243
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC30N20DZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
535 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
960mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC30N20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC30N20DZOSTR
FDC30N20DZ-DG
FDC30N20DZOSDKR
FDC30N20DZOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB34N20TM-AM002
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
FQPF5N50
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F
FDD20AN06A0
MOSFET N-CH 60V 8A/45A TO252AA