رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC6020C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC6020C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6SSOT
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.9A, 4.2A 1.2W Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
المخزون:
12847291
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC6020C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.9A, 4.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
677pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6 FLMP
رقم المنتج الأساسي
FDC6020
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC6020CDKR
FDC6020C_NL
FDC6020C_NLTR-DG
FDC6020CCT-NDR
FDC6020C_NLCT
FDC6020C_NLCT-DG
FDC6020CTR
FDC6020CCT
FDC6020CTR-NDR
FDC6020C_NLTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMA1025P
MOSFET 2P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
FDS8333C
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
