رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC6020C_F077
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC6020C_F077-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V 6-SSOP
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 5.9A, 4.2A 1.2W Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
المخزون:
12847143
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC6020C_F077 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.9A, 4.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
677pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6 FLMP
رقم المنتج الأساسي
FDC6020
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NDS9942
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SOIC
FDW2503NZ
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
FDY3000NZ
MOSFET 2N-CH 20V 600MA SOT563F
