FDC6305N
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC6305N

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC6305N-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.7A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

19890 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839916
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC6305N المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
310pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
700mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
رقم المنتج الأساسي
FDC6305

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC6305NTR
FDC6305NDKR
FDC6305NCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDS6892A

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDS89161LZ

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

infineon-technologies

BSO211PHXUMA1

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO

infineon-technologies

AUIRF7379Q

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC