الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDC633N
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDC633N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 5.2A SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 5.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848006
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDC633N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
42mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
538 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC633
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDC633N
ورقة بيانات HTML
FDC633N-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDC633NDKR
FDC633NCT
FDC633NTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RTQ045N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5994
DiGi رقم الجزء
RTQ045N03TR-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO6400
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
4979
DiGi رقم الجزء
AO6400-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RTQ035N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
659
DiGi رقم الجزء
RTQ035N03TR-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RSQ020N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2469
DiGi رقم الجزء
RSQ020N03TR-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RTQ020N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
8195
DiGi رقم الجزء
RTQ020N03TR-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOB7S65L
MOSFET N-CH 650V 7A TO263
NVMFS5C682NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
FQPF11N40CT
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220F
HUFA75545S3S
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK