FDC638P-P
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDC638P-P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDC638P-P-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

المخزون:

12997490
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDC638P-P المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1160 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SuperSOT™-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
رقم المنتج الأساسي
FDC638

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDC638P-PTR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDC638P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4802
DiGi رقم الجزء
FDC638P-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nexperia

2N7002HWX

2N7002HW/SOT323/SC-70

comchip-technology

CMS23P04D-HF

MOSFET P-CH 40V 23A DPAK

nexperia

PH6030DLV-CBSNX

MOSFET N-CH 30V LFPAK

infineon-technologies

IPT054N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8