رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD120AN15A0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD120AN15A0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
19980 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847041
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD120AN15A0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.8A (Ta), 14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
770 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
65W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD120AN15A0CT
FDD120AN15A0-DG
FDD120AN15A0TR
FDD120AN15A0DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOI516
MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251A
FDMA507PZ
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
FQP18N50V2
MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3