رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD3510H
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD3510H-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A TO252
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
12848460
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD3510H المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel, Common Drain
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A, 2.8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800pF @ 40V
الطاقة - الحد الأقصى
1.3W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
رقم المنتج الأساسي
FDD3510
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD3510HTR
2156-FDD3510H-OS
ONSONSFDD3510H
FDD3510HCT
FDD3510HDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
