رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD4685-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD4685-F085-DG
وصف:
MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 40 V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12837339
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD4685-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.4A (Ta), 32A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2380 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD468
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD4685_F085
FDD4685_F085CT-DG
FDD4685_F085-5
FDD4685_F085TR-DG
FDD4685_F085DKR-DG
FDD4685_F085DKR
FDD4685-F085-DG
FDD4685_F085TR
FDD4685-F085INACTIVE
FDD4685_F085-5-DG
FDD4685-F085CT
FDD4685-F085TR
FDD4685_F085P
FDD4685-F085DKR
FDD4685_F085-DG
FDD4685_F085CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NP20P04SLG-E1-AY
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
13270
DiGi رقم الجزء
NP20P04SLG-E1-AY-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCD380N60E
MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
FDS86106
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
FDC602P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6