رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD5N50NZTM
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD5N50NZTM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
3285 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846665
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD5N50NZTM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD5N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD5N50NZTMCT
FDD5N50NZTMDKR
ONSONSFDD5N50NZTM
FDD5N50NZTM-DG
FDD5N50NZTMTR
2156-FDD5N50NZTM-OS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD2910
MOSFET N CH 100V 6.5A TO252
FDB86566-F085
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
FQD6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
