FDD6512A

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD6512A

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD6512A-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12848114

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDD6512A المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10.7A (Ta), 36A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

19 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1082 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.8W (Ta), 43W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-252AA

العبوة / العلبة

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

رقم المنتج الأساسي

FDD651

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NTD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V 33A DPAK

onsemi

NTMFS5C673NLT3G

MOSFET N-CH 60V 5DFN

onsemi

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN