FDD6670AS

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD6670AS

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD6670AS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 76A TO252

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 76A (Ta) 70W (Ta) Surface Mount TO-252AA

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12850417

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDD6670AS المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

76A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

8mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

40 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1580 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

70W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

TO-252AA

العبوة / العلبة

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

رقم المنتج الأساسي

FDD667

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDD6670ASCT

FDD6670ASDKR

FDD6670ASTR

FDD6670AS-DG

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQB2N90TM

MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

onsemi

FDP24N40

MOSFET N-CH 400V 24A TO220-3

onsemi

FQA34N20

MOSFET N-CH 200V 34A TO3P

infineon-technologies

BSC011N03LSTATMA1

MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON