رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD6N25TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD6N25TF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12846297
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD6N25TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.1Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD6
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
FDD6N25TFDKR
FDD6N25TFTR
FDD6N25TFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF624SPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1814
DiGi رقم الجزء
IRF624SPBF-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
IRFR220NTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
19780
DiGi رقم الجزء
IRFR220NTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFR220NTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
16111
DiGi رقم الجزء
IRFR220NTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA75639G3
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
AOT15S65L
MOSFET N-CH 650V 15A TO220
FDMC86160ET100
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
