رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD86113LZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD86113LZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta), 5.5A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12926583
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD86113LZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
104mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
285 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 29W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD86113
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD86113LZFSDKR
FDD86113LZFSCT
FDD86113LZFSTR
FDD86113LZ-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMN10H100SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4328
DiGi رقم الجزء
DMN10H100SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD15NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2040
DiGi رقم الجزء
STD15NF10T4-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTX2N6768
MOSFET N-CH 400V 14A TO3
AOT2500L
MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO220
JAN2N7227
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA