رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD86581-F085
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD86581-F085-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 48.4W (Tj) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
9781 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839637
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD86581-F085 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
880 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48.4W (Tj)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FDD86581
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDD86581-F085-DG
FDD86581_F085-DG
FDD86581_F085
FDD86581-F085OSDKR
FDD86581-F085OSCT
FDD86581-F085OSTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NVMYS014N06CLTWG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
7137
DiGi رقم الجزء
NVMYS014N06CLTWG-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD50N06S4L12ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
17005
DiGi رقم الجزء
IPD50N06S4L12ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MTD3055V
MOSFET N-CH 60V 12A TO252-3
FDS3612
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
2SK302500L
MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
