FDFM2P110
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDFM2P110

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDFM2P110-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm

المخزون:

12849359
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDFM2P110 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
280 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
MicroFET 3x3mm
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDFM2P

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDFM2P110-DG
2832-FDFM2P110-488
FDFM2P110TR
FDFM2P110CT
2832-FDFM2P110TR
FDFM2P110DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AON2707

MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN

onsemi

FQPF14N15

MOSFET N-CH 150V 9.8A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOD9N40

MOSFET N CH 400V 8A TO252

alpha-and-omega-semiconductor

AON6413

MOSFET P-CH 30V 22A/32A 8DFN