FDFMA2P853T
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDFMA2P853T

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDFMA2P853T-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 7-SOIC

المخزون:

12839193
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDFMA2P853T المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
435 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
7-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 7 Leads
رقم المنتج الأساسي
FDFMA2

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDFMA2P853TTR
FDFMA2P853TDKR
FDFMA2P853TCT
FDFMA2P853T-DG

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUFA75337S3ST

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

onsemi

FDPF8N50NZT

MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

onsemi

FCH023N65S3-F155

MOSFET N-CH 650V 75A TO247

onsemi

FDD6670A

MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK