رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDFS2P106A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDFS2P106A-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12846424
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDFS2P106A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
714 pF @ 30 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
900mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDFS2P106
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDFS2P106ADKR
FDFS2P106ATR
FDFS2P106A_NLCT-DG
FDFS2P106A_NL
FDFS2P106A_NLTR-DG
FDFS2P106ACT
FDFS2P106ACT-NDR
FDFS2P106A_NLCT
FDFS2P106A_NLTR
FDFS2P106ATR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC5614P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
28526
DiGi رقم الجزء
FDC5614P-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJL9433A_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
7460
DiGi رقم الجزء
PJL9433A_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB42AN15A0-F085
MOSFET N-CH 150V 35A D2PAK
FDMC86259P
MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33
AON7508
MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
