FDFS6N754

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDFS6N754

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDFS6N754-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12837403

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDFS6N754 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

4A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

56mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

6 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

299 pF @ 15 V

ميزة FET

Schottky Diode (Isolated)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.6W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

FDFS6

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDFS6N754DKR

FDFS6N754CT

FDFS6N754TR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDI8442

MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK

onsemi

FDS4685

MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC

onsemi

CPH3457-TL-W

MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH

onsemi

FDV305N

MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23