رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG327NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG327NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
12836001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG327NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
412 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
420mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
رقم المنتج الأساسي
FDG327
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDG327NZ-DG
FDG327NZFSTR
2156-FDG327NZ-OS
ONSONSFDG327NZ
FDG327NZFSCT
FDG327NZFSDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJS3157NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13900
DiGi رقم الجزء
NTJS3157NT1G-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO7408
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AO7408-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD7N30TF
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
CPH3457-TL-H
MOSFET N-CH 30V 3A 3CPH
FDD6637-F085
MOSFET P-CH 35V 13A DPAK
