الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6313N
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6313N-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6313N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6313
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDG6313N
ورقة بيانات HTML
FDG6313N-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJD4401NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
28537
DiGi رقم الجزء
NTJD4401NT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
34190
DiGi رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDG6303N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4630
DiGi رقم الجزء
FDG6303N-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMGD175XNEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8848
DiGi رقم الجزء
PMGD175XNEX-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6911
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
HUFA76407DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
FDMD84100
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5