رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6313N
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6313N-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
12848166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6313N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6313
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTJD4401NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
28537
DiGi رقم الجزء
NTJD4401NT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
34190
DiGi رقم الجزء
SI1902DL-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDG6303N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4630
DiGi رقم الجزء
FDG6303N-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMGD175XNEX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
8848
DiGi رقم الجزء
PMGD175XNEX-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS6911
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
HUFA76407DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
