رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG6322C
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG6322C-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 25V 220mA, 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
29094 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837128
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG6322C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
220mA, 410mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9.5pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
رقم المنتج الأساسي
FDG6322
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDG6322CCT
FDG6322CDKR
FDG6322CTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDC6036P_F077
MOSFET 2P-CH 20V 5A SSOT6
FDS8934A
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
FW216A-TL-2WX
MOSFET