رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDM2509NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDM2509NZ-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 8.7A 800mW Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
المخزون:
12848625
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDM2509NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
MicroFET 2x2 Thin
رقم المنتج الأساسي
FDM2509
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AON2801
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
FDMB2307NZ
MOSFET 2N-CH 6MLP
AON5810
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
