FDM2509NZ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDM2509NZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDM2509NZ-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO2X2
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 8.7A 800mW Surface Mount MicroFET 2x2 Thin

المخزون:

12848625
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDM2509NZ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
MicroFET 2x2 Thin
رقم المنتج الأساسي
FDM2509

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
alpha-and-omega-semiconductor

AON2801

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN

onsemi

FDMB2307NZ

MOSFET 2N-CH 6MLP

alpha-and-omega-semiconductor

AON5810

MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN

onsemi

FDS8958B

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC