FDMA430NZ

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMA430NZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMA430NZ-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 5A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

المخزون:

4646 قطع جديدة أصلية في المخزون

12840507

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMA430NZ المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

5A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

40mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

800 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.4W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

6-MicroFET (2x2)

العبوة / العلبة

6-WDFN Exposed Pad

رقم المنتج الأساسي

FDMA430

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMA430NZDKR

2156-FDMA430NZ

FDMA430NZTR

2832-FDMA430NZ

FDMA430NZCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

NVMFS5C423NLWFT1G

MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

onsemi

FQU17P06TU

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

onsemi

FDV304P-D87Z

MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

infineon-technologies

BSD316SNL6327XT

MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6