FDMA8878
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMA8878

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMA8878-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 9A/10A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

المخزون:

3733 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848083
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMA8878 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
720 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (2x2)
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
FDMA88

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMA8878TR
FDMA8878DKR
FDMA8878CT
FDMA8878-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3

onsemi

NTB22N06T4

MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK

onsemi

FCPF165N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3

onsemi

FDD2572

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA