رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC007N08LC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC007N08LC-DG
وصف:
MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
المخزون:
8448 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836895
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC007N08LC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
66A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 120µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2940 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC007
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDMC007N08LCTR
FDMC007N08LC-DG
488-FDMC007N08LCCT
488-FDMC007N08LCDKR
2156-FDMC007N08LC
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQB12N50TM_AM002
MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK
FDP054N10
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
FDS6680A
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
