FDMC007N30D

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC007N30D

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC007N30D-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 30V 46A 8PWR33

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 30V 46A 1.9W, 2.5W Surface Mount 8-Power33 (3x3)

المخزون:

5796 قطع جديدة أصلية في المخزون

12836495

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMC007N30D المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

46A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

11.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

34nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1110pF @ 15V, 2360pF @ 15V

الطاقة - الحد الأقصى

1.9W, 2.5W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

حزمة جهاز المورد

8-Power33 (3x3)

رقم المنتج الأساسي

FDMC007

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMC007N30DOSTR

2832-FDMC007N30DTR

FDMC007N30DOSDKR

FDMC007N30DOSCT

FDMC007N30D-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMA1032CZ

MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 6MICROFET

onsemi

FDS6982AS

MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC

onsemi

FDMC8010A

MOSFET

onsemi

EFC4626R-TR

MOSFET 2N-CH 24V 5A CSP4