رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC6675BZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC6675BZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
المخزون:
6050 قطع جديدة أصلية في المخزون
12851492
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC6675BZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.5A (Ta), 20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.4mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2865 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC6675
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC6675BZDKR
FDMC6675BZCT
2832-FDMC6675BZTR
FDMC6675BZTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI7121ADN-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9953
DiGi رقم الجزء
SI7121ADN-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSZ120P03NS3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
19982
DiGi رقم الجزء
BSZ120P03NS3GATMA1-DG
سعر الوحدة
0.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP8441
MOSFET N-CH 40V 23A/80A TO220-3
HUF75345S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
BS170
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
