رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC6683PZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC6683PZ-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 40A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
المخزون:
12837239
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC6683PZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7995 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
26W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
رقم المنتج الأساسي
FDMC66
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSZ086P03NS3EGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6713
DiGi رقم الجزء
BSZ086P03NS3EGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
FQP2N30
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3