رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC7570S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC7570S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 27A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount Power33
المخزون:
768 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838165
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC7570S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
27A (Ta), 40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4410 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 59W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Power33
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC7570
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC7570SDKR
FDMC7570STR
FDMC7570SCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSZ019N03LSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
89383
DiGi رقم الجزء
BSZ019N03LSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSZ035N03MSGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11583
DiGi رقم الجزء
BSZ035N03MSGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF13N50CSDTU
MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FDS6688
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FQD7N10LTM
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
