رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC7672S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC7672S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 14.8A/18A 8MLP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 14.8A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
المخزون:
3690 قطع جديدة أصلية في المخزون
12846910
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC7672S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.8A (Ta), 18A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 14.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2520 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC7672
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC7672SDKR
FDMC7672STR
FDMC7672S-DG
FDMC7672SCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDFMA2P029Z-F106
MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
HUFA76419S3ST
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
FDS4470
MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC